BC847S

BC847S NPN+NPN复合三极管 50V 100mA HEF=200~630 SOT-363 标记1C 用于开关/数字电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 45V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 100MA/0.1A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 250MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 200~630 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.65V 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.25W 描述与应用 Description & Applications | 　NPN型硅房颤阵列 　　对于房颤输入阶段和驱动程序的应用程序 　　高电流增益 　　低饱和电压 　　两个电内部孤立的晶体管 　　在一个包有良好的匹配 技术文档PDF下载 | 在线阅读