晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 930 µohm, 10 V, 1.7 V
表面贴装型 N 通道 40 V 198W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
得捷:
MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56
立创商城:
N沟道 40V 280A
贸泽:
MOSFET N-CH 40V 1.1 mOhm logic level MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 0.00093 Ω
耗散功率 198 W
阈值电压 1.7 V
输入电容 8845 pF
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 62 ns
输入电容Ciss 8845pF @20VVds
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 198W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-669
长度 5.3 mm
封装 SOT-669
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 医用, 工业, 电机驱动与控制, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PSMN1R0-40YLDX Nexperia 安世 | 当前型号 | 当前型号 |
PSMN2R6-40YS,115 安世 | 功能相似 | PSMN1R0-40YLDX和PSMN2R6-40YS,115的区别 |