JANTXV2N6766参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N6766概述

每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543

通孔 N 通道 200 V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3

得捷:
MOSFET N-CH 200V 30A TO3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin2+Tab TO-3

JANTXV2N6766中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 4W Ta, 150W Tc

漏源极电压Vds 200 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 4W Ta, 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTXV2N6766

型号： JANTXV2N6766

制造商： Microsemi 美高森美

描述：每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543

替代型号JANTXV2N6766