BFP760H6327

BFP760H6327图片1
BFP760H6327中文资料参数规格
技术参数

频率 45 GHz

耗散功率 240 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-343

外形尺寸

封装 SOT-343

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BFP760H6327
型号: BFP760H6327
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Transistor: NPN; bipolar; RF; 4V; 70mA; 240mW; SOT343

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