高电压晶体管 High Voltage Transistors
小信号 NPN ,高于 100V,Fairchild Semiconductor
得捷:
TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
欧时:
ON Semiconductor MMBT5551 , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:30, 300 MHz, 3引脚 SOT-23封装
艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
MMBT5551 Series 160 V CE Breakdown 0.6 A NPN General Purpose Amplifier - SOT-23
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 80 hFE
频率 300 MHz
额定电压DC 160 V
额定电流 600 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 160 V
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 80
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 电源管理, Power Management, Multimedia, Industrial, 多媒体
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMBT5551 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
KST5551MTF 安森美 | 完全替代 | MMBT5551和KST5551MTF的区别 |
MMBT5551LT1G 安森美 | 类似代替 | MMBT5551和MMBT5551LT1G的区别 |
MMBT5551LT3G 安森美 | 类似代替 | MMBT5551和MMBT5551LT3G的区别 |