MMBT5551

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MMBT5551概述

高电压晶体管 High Voltage Transistors

小信号 NPN ,高于 100V,Fairchild Semiconductor


得捷:
TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23


欧时:
ON Semiconductor MMBT5551 , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:30, 300 MHz, 3引脚 SOT-23封装


艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
MMBT5551 Series 160 V CE Breakdown 0.6 A NPN General Purpose Amplifier - SOT-23


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 80 hFE


MMBT5551中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 160 V

额定电流 600 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 160 V

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 350 mW

直流电流增益hFE 80

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 电源管理, Power Management, Multimedia, Industrial, 多媒体

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买MMBT5551
型号: MMBT5551
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:高电压晶体管 High Voltage Transistors
替代型号MMBT5551
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBT5551

ON Semiconductor 安森美

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安森美

完全替代

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