UP04213GOL 带阻尼NPN三极管 50V 0.1A HEF=80 R1=R2=47KΩ SOT563 代码 8S
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 100MA 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 47KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47KΩ 基极与基极-发射极输入电阻比R1/R2 Base-Emitter Input Resistance RatioR1/R2 | 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 80 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 150MHZ 耗散功率Pc Power Dissipation | 125MW 描述与应用 Description & Applications | 开关/数字电路 两个元素纳入一个包晶体管内置电阻 技术文档PDF下载 | 在线阅读
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-563
封装 SOT-563
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO 50V
集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO 50V
集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC 100MA
基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 47KΩ
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 47KΩ
基极与基极-发射极输入电阻比R1/R2 Base-Emitter Input Resistance RatioR1/R2 1
直流电流增益hFE DC Current GainhFE 80
截止频率fT Transtion FrequencyfT 150MHZ
耗散功率Pc Power Dissipation 125MW
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RoHS标准 RoHS Compliant