NTE ELECTRONICS NTE108 射频晶体管, NPN, 15V, 600MHZ, TO-92
Description:
The is a silicon NPN transistor in a TO92 type case designed for low–noise, high–frequency amplifiers, 1GHz local oscillatore, non–neutralized IF amplifiers, and non–saturating circuits with rise and fall times less than 2.5ns.
e络盟:
射频晶体管, NPN, 15V, 600MHZ, TO-92
艾睿:
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin TO-92
Chip1Stop:
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin TO-92
Verical:
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin TO-92
Newark:
# NTE ELECTRONICS NTE108 Bipolar - RF Transistor, NPN, 15 V, 600 MHz, 625 mW, 50 mA, 20 hFE
MASTER:
Trans GP BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin TO-92
Electro Sonic:
Trans GP BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin TO-92
额定电压DC 30.0 V
额定电流 50.0 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 625 mW
输入电容 2pF Max
集电极击穿电压 30.0 V
击穿电压集电极-发射极 15.0 V
直流电流增益hFE 20
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92
封装 TO-92
材质 Silicon
产品生命周期 Active
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
HTS代码 85412900951
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
NTE108 NTE Electronics | 当前型号 | 当前型号 |
NTE108-1 NTE Electronics | 完全替代 | NTE108和NTE108-1的区别 |
NTE107 NTE Electronics | 类似代替 | NTE108和NTE107的区别 |
NTE229 NTE Electronics | 类似代替 | NTE108和NTE229的区别 |