ON SEMICONDUCTOR NST3904DP6T5G 双极晶体管阵列, 双NPN, 40 V, 350 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-963
The is a dual Bipolar Transistor Array housed in a surface-mount package, designed for general-purpose amplifier applications. By putting two discrete devices in one package, it is ideal for low-power surface-mount applications where board space is at a premium.
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- 100 to 300 hFE
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- * Reduces board space and component count
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Junction temperature range
频率 200 MHz
额定功率 0.35 W
针脚数 6
极性 NPN
耗散功率 420 mW
增益频宽积 200 MHz
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 40 @0.1mA, 1V
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 420 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-963-6
长度 1 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.37 mm
封装 SOT-963-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
