BDW93C

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BDW93C概述

STMICROELECTRONICS  BDW93C  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 80 W, 12 A, 20000 hFE

NPN 复合,STMicroelectronics

### 双极晶体管,STMicroelectronics

STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP ,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。


立创商城:
BDW93C


得捷:
TRANS NPN DARL 100V 12A TO220


欧时:
STMicroelectronics BDW93C NPN 达林顿晶体管对, 12 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
Darlington Transistors NPN Power Darlington


艾睿:
Trans Darlington NPN 100V 12A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


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Trans Darlington NPN 100V 12A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


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BD Series NPN 80 W 100 V 12 A Epitaxial Silicon Transistor - TO-220-3


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 100V 12A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 80W; TO220AB


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Trans Darlington NPN 100V 12A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  BDW93C  Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 12 A, 20000


BDW93C中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 12.0 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 80 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 750 @5A, 3V

额定功率Max 80 W

直流电流增益hFE 20000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 80000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BDW93C引脚图与封装图
BDW93C引脚图
BDW93C封装图
BDW93C封装焊盘图
在线购买BDW93C
型号: BDW93C
制造商: ST Microelectronics 意法半导体
描述:STMICROELECTRONICS  BDW93C  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 80 W, 12 A, 20000 hFE
替代型号BDW93C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BDW93C

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

BDW93CTU

飞兆/仙童

功能相似

BDW93C和BDW93CTU的区别

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