NTJD4401NT2

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NTJD4401NT2中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 775 mA

漏源极电阻 510 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 270 mW

输入电容 46.0 pF

栅电荷 3.00 nC

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 630 mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买NTJD4401NT2
型号: NTJD4401NT2
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:小信号MOSFET 20 V ,双N沟道, SC -88 ESD保护 Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection
替代型号NTJD4401NT2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

NTJD4401NT2

ON Semiconductor 安森美

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NTJD4401NT2G

安森美

完全替代

NTJD4401NT2和NTJD4401NT2G的区别

NTJD4401NT4

安森美

完全替代

NTJD4401NT2和NTJD4401NT4的区别

NTJD4401NT1G

安森美

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NTJD4401NT2和NTJD4401NT1G的区别

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