NTJS3151PT1

NTJS3151PT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -12.0 V

额定电流 -2.70 A

漏源极电阻 133 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 625 mW

输入电容 850 pF

栅电荷 8.60 nC

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 2.70 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: NTJS3151PT1
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:沟槽功率MOSFET的12 V , 3.3 A单P沟道, ESD保护SC- 88 Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P−Channel, ESD Protected SC−88

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