NTJS4151P

NTJS4151P中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 47 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 1 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 4.2A

封装参数

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

其他

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: NTJS4151P
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:沟槽功率MOSFET -20 V, -4.2 A,单P沟道, SC- 88 Trench Power MOSFET −20 V, −4.2 A, Single P−Channel, SC−88

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