STMICROELECTRONICS IRF630.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
得捷:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
立创商城:
N沟道 200V 9A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
富昌:
Single N-Channel 200 V 0.4 Ohm 31 nC 75 W Mesh overlay™ II Power Mosfet-TO-220-3
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 75W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS IRF630 MOSFET Transistor, N Channel, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
额定电压DC 200 V
额定电流 9.00 A
额定功率 75 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 75 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 700pF @25VVds
额定功率Max 75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 75W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 便携式器材, Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Ind, Consumer Electronics, Portable Devices, 电源管理, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF630 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFB4020PBF 英飞凌 | 功能相似 | IRF630和IRFB4020PBF的区别 |
IRF630NPBF 国际整流器 | 功能相似 | IRF630和IRF630NPBF的区别 |
IRF630PBF 威世 | 功能相似 | IRF630和IRF630PBF的区别 |