单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
表面贴装型 N 通道 100 V 8.7A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
得捷:
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
欧时:
Infineon MOSFET IRFR120ZTRPBF
立创商城:
IRFR120ZTRPBF
贸泽:
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 70nC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 8.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
儒卓力:
**N-CH 100V 8,7A 190mOhm DPAK **
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
额定功率 35 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 35 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 8.7A
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 310pF @25VVds
额定功率Max 35 W
下降时间 23 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 35W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting LED
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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