2N7000

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2N7000概述

小信号MOSFET 200毫安, 60伏N沟道TO- 92 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92

增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor

增强模式场效应 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。


得捷:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3


立创商城:
N沟道 60V 200mA N沟道增强模式场效应晶体管60V,200mA,5Ω


欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7000, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装


贸泽:
MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag


2N7000中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 5 Ω

耗散功率 350 mW

阈值电压 2.1 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

输入电容Ciss 20pF @25VVds

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

制造应用 音频, 信号处理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2N7000引脚图与封装图
2N7000引脚图
在线购买2N7000
型号: 2N7000
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:小信号MOSFET 200毫安, 60伏N沟道TO- 92 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92
替代型号2N7000
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N7000

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

2N7000-D74Z

安森美

完全替代

2N7000和2N7000-D74Z的区别

2N7000G

安森美

类似代替

2N7000和2N7000G的区别

2N7000RLRAG

安森美

类似代替

2N7000和2N7000RLRAG的区别

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