小信号MOSFET 200毫安, 60伏N沟道TO- 92 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92
增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor
增强模式场效应 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。
得捷:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
立创商城:
N沟道 60V 200mA N沟道增强模式场效应晶体管60V,200mA,5Ω
欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7000, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
贸泽:
MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 5 Ω
耗散功率 350 mW
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
输入电容Ciss 20pF @25VVds
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
制造应用 音频, 信号处理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N7000 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N7000-D74Z 安森美 | 完全替代 | 2N7000和2N7000-D74Z的区别 |
2N7000G 安森美 | 类似代替 | 2N7000和2N7000G的区别 |
2N7000RLRAG 安森美 | 类似代替 | 2N7000和2N7000RLRAG的区别 |