INFINEON IRF2807PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
额定功率 200 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.013 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 4 V
输入电容 3820pF @25V
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 82A
上升时间 64 ns
输入电容Ciss 3820pF @25VVds
额定功率Max 230 W
下降时间 48 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 230W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.54 mm
宽度 4.69 mm
高度 8.77 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Commercial, 工业, 商业, Industrial, Consumer Full-Bridge, Full-Bridge, Push-Pull, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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