NTD25P03LT4参数规格_中文资料_数据手册PDF

NTD25P03LT4概述

功率MOSFET -25安培，伏特-30 Power MOSFET -25 Amp, -30 Volt

表面贴装型 P 通道 30 V 25A（Ta） 75W（Tj） DPAK

得捷:
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK

贸泽:
MOSFET -30V -25A P-Channel

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

NTD25P03LT4中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -25.0 A

漏源极电阻 51.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 75 W

漏源极电压Vds 30 V

栅源击穿电压 ±15.0 V

连续漏极电流Ids 25.0 A

上升时间 37 ns

输入电容Ciss 1260pF @25VVds

额定功率Max 75 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 75 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买NTD25P03LT4

型号： NTD25P03LT4

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：功率MOSFET -25安培，伏特-30 Power MOSFET -25 Amp, -30 Volt

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替代型号NTD25P03LT4

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