NTD5867NLT4G

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NTD5867NLT4G概述

ON SEMICONDUCTOR  NTD5867NLT4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V

N 通道功率 MOSFET,60V,


欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5867NLT4G, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


立创商城:
N沟道 60V 20A


得捷:
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK


贸泽:
MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V


艾睿:
Thanks to ON Semiconductor, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the NTD5867NLT4G power MOSFET. Its maximum power dissipation is 36000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
NTD5867NLT4G N-channel MOSFET Transistor; 20 A; 60 V; 3-Pin DPAK


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 36W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V


力源芯城:
60V,19A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 18A 43MOHM DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK


NTD5867NLT4G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.026 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 36 W

阈值电压 1.8 V

输入电容 675 pF

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

上升时间 12.6 ns

输入电容Ciss 675pF @25VVds

额定功率Max 36 W

下降时间 2.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 36W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 便携式器材, 电机驱动与控制, LED Lighting, Consumer Electronics, Portable Devices, 电源管理, Motor Drive & Control, 消费电子产品, 发光二极管照明

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

NTD5867NLT4G引脚图与封装图
NTD5867NLT4G引脚图
NTD5867NLT4G封装焊盘图
在线购买NTD5867NLT4G
型号: NTD5867NLT4G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTD5867NLT4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V
替代型号NTD5867NLT4G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

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