BD436S参数规格_中文资料_数据手册PDF

BD436S概述

TRANSISTOR PNP 32V 4A TO-126

Bipolar BJT Transistor PNP 32V 4A 3MHz 36W Through Hole TO-126-3

得捷:
TRANS PNP 32V 4A TO126-3

立创商城:
PNP 32V 4A

艾睿:
Trans GP BJT PNP 32V 4A 36000mW 3-Pin3+Tab TO-126 Bag

安富利:
Trans GP BJT PNP 32V 4A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk

BD436S中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 32 V

最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 5V

额定功率Max 36 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 36000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BD436S

型号： BD436S

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：TRANSISTOR PNP 32V 4A TO-126

替代型号BD436S