ON SEMICONDUCTOR NTGS3443T1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.1 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -950 mV
The is a P-channel Power MOSFET offers -20V drain source voltage and -2.2A continuous drain current. It is suitable for power management in portable and battery-powered products, cellular and cordless telephones and PCMCIA cards.
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- Ultra-low RDS ON
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- Higher efficiency extending battery life
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- Miniature surface-mount package
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- -55 to 150°C Operating temperature range
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -2.00 A
针脚数 6
漏源极电阻 0.058 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 565 pF
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 565pF @5VVds
额定功率Max 500 mW
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-23-6
长度 3.1 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 便携式器材, Consumer Electronics, Portable Devices, 电源管理, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
NTGS3443T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NTGS3443T1 安森美 | 类似代替 | NTGS3443T1G和NTGS3443T1的区别 |
NTGS3443T2G 安森美 | 类似代替 | NTGS3443T1G和NTGS3443T2G的区别 |
NTGS3443BT1G 安森美 | 类似代替 | NTGS3443T1G和NTGS3443BT1G的区别 |