BD239C

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BD239C概述

STMICROELECTRONICS  BD239C  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 2 W, 2 A, 40 hFE

NPN 功率,STMicroelectronics

### 双极晶体管,STMicroelectronics

STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP ,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。


得捷:
TRANS NPN 100V 2A TO220


欧时:
STMicroelectronics BD239C , NPN 晶体管, 2 A, Vce=100 V, HFE:15, 3引脚 TO-220封装


艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans GP BJT NPN 100V 2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
BD239 Series NPN Power Transistor Through Hole Bipolar Transistor - TO-220-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 100V 2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 115V; 2A; 30W; TO220AB


Verical:
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  BD239C  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 100 V, 2 W, 2 A, 40 hFE


Win Source:
TRANS NPN 100V 2A TO-220


BD239C中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 15 @1A, 4V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

BD239C引脚图与封装图
BD239C引脚图
BD239C封装图
BD239C封装焊盘图
在线购买BD239C
型号: BD239C
制造商: ST Microelectronics 意法半导体
描述:STMICROELECTRONICS  BD239C  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 2 W, 2 A, 40 hFE
替代型号BD239C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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