PBHV8115Z,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 700 mW
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 100 @50mA, 10V
额定功率Max 1.4 W
直流电流增益hFE 250
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 1400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PBHV8115Z,115
型号： PBHV8115Z,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PBHV8115Z,115 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 700 mW, 1 A, 250 hFE
替代型号PBHV8115Z,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBHV8115Z,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBHV8115Z 恩智浦 | 完全替代 | PBHV8115Z,115和PBHV8115Z的区别 |
PBHV8115T,215 恩智浦 | 功能相似 | PBHV8115Z,115和PBHV8115T,215的区别 |