Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH103,215, 850 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装
N 通道 MOSFET,高达 30V,
欧时:
Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH103,215, 850 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装
得捷:
MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
立创商城:
N沟道 30V 850mA
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 400 mV
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin TO-236AB T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin TO-236AB T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
针脚数 3
漏源极电阻 0.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 0.75 W
阈值电压 400 mV
输入电容 83 pF
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 850 mA
上升时间 3.5 ns
输入电容Ciss 83pF @24VVds
额定功率Max 540 mW
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 540mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, 工业, 消费电子产品, 便携式器材
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSH103,215 Nexperia 安世 | 当前型号 | 当前型号 |
BSH103,235 安世 | 类似代替 | BSH103,215和BSH103,235的区别 |