





BSH 系列 -30 V 0.9 Ω 417 mW P沟道 增强模式 MOS 晶体管 - SOT-23
P 通道 MOSFET,
得捷:
MOSFET P-CH 30V 470MA TO236AB
欧时:
Nexperia Si P沟道 MOSFET BSH203,215, 470 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装
立创商城:
P沟道 30V 470mA
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 30 V, 470 mA, 0.66 ohm, SOT-23, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin TO-236AB T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin TO-236AB T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
MOSFET Transistor, P Channel, -470 mA, -30 V, 0.66 ohm, -4.5 V, -680 mV
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 470MA SOT23
针脚数 3
漏源极电阻 0.66 Ω
耗散功率 417 mW
阈值电压 680 mV
输入电容 110 pF
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 4.5 ns
输入电容Ciss 110pF @24VVds
额定功率Max 417 mW
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 417mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSH203,215 Nexperia 安世 | 当前型号 | 当前型号 |
BSH203 恩智浦 | 类似代替 | BSH203,215和BSH203的区别 |