BSS84,215 编带
The BSS84 is a -50V P-channel enhancement mode Field Effect Transistor designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications. This DMOS Diffusion Metal-Oxide Semiconductor transistor is suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics.
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- Suitable for use with all 5V logic families
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- Suitable for low gate drive sources
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- Low threshold voltage
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- High speed switching
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- Direct interface to CMOS and Transistor-Transistor Logic TTL
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- No secondary breakdown
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- ±20V Gate to source voltage
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 6 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 250 mW
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 50 V
漏源击穿电压 50 V
连续漏极电流Ids -130 mA
输入电容Ciss 45pF @25VVds
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 150℃
耗散功率Max 250mW Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 计算机和计算机周边, 电源管理, 通信与网络, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSS84,215 Nexperia 安世 | 当前型号 | 当前型号 |
BSS84LT1G 安森美 | 功能相似 | BSS84,215和BSS84LT1G的区别 |
BSS84-7-F 美台 | 功能相似 | BSS84,215和BSS84-7-F的区别 |
BSS84 飞兆/仙童 | 功能相似 | BSS84,215和BSS84的区别 |