NTB6413ANG参数规格_中文资料_数据手册PDF

NTB6413ANG概述

N沟道功率MOSFET的100 V， 42 A， 28毫欧 N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 mΩ

表面贴装型 N 通道 42A（Tc） 136W（Tc） D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK

贸泽:
MOSFET NFET D2PAK 100V 42A 28MO

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin2+Tab D2PAK Rail

Allied Electronics:
MOSFET N-Channel 100V 42A D2PAK

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin2+Tab D2PAK Rail

NTB6413ANG中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 28 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 136 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 42.0 A

上升时间 84 ns

输入电容Ciss 1800pF @25VVds

额定功率Max 136 W

下降时间 71 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买NTB6413ANG

型号： NTB6413ANG

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：N沟道功率MOSFET的100 V， 42 A， 28毫欧 N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 mΩ

替代型号NTB6413ANG