点火IGBT 18安培， 400伏 Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
IGBT 430V 18A 115W Surface Mount D2PAK
得捷:
IGBT 430V 18A 115W D2PAK
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 430V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 430V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
IGBT 430V 18A 115W D2PAK
额定电压DC 400 V
额定电流 18.0 A
耗散功率 115000 mW
上升时间 4.50 ns
击穿电压集电极-发射极 430 V
额定功率Max 115 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 115000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
NGB18N40CLBT4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NGB18N40ACLBT4G 安森美 | 类似代替 | NGB18N40CLBT4G和NGB18N40ACLBT4G的区别 |