









HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET 100V,
Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4410ZTRLPBF, 97 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
立创商城:
N沟道 100V 97A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 97 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.0072 Ω
极性 N-CH
耗散功率 230 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 97A
上升时间 52 ns
输入电容Ciss 4820pF @50VVds
额定功率Max 230 W
下降时间 57 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 230W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 11.3 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Battery Operated Drive
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFS4410ZTRLPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFS4410ZPBF 英飞凌 | 完全替代 | IRFS4410ZTRLPBF和IRFS4410ZPBF的区别 |
IRF2807STRRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRFS4410ZTRLPBF和IRF2807STRRPBF的区别 |
AUIRFS4410Z 英飞凌 | 类似代替 | IRFS4410ZTRLPBF和AUIRFS4410Z的区别 |