FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NZT660A 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 75 MHz, 2 W, -3 A, 25 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −60V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 75MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 250~550 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 2W Description & Applications| PNP Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous. 描述与应用| 低饱和PNP 这些设备的设计与高电流增益和低饱和电压与集电极电流高达3A的连续。
频率 75 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -3.00 A
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 250 @500mA, 2V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 25
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
NZT660A Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
PZT2907AT1G 安森美 | 功能相似 | NZT660A和PZT2907AT1G的区别 |
PZT2907AT3G 安森美 | 功能相似 | NZT660A和PZT2907AT3G的区别 |
NSV60600MZ4T1G 安森美 | 功能相似 | NZT660A和NSV60600MZ4T1G的区别 |