INFINEON IRLML6401TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV
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欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML6401TRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 微型封装
立创商城:
P沟道 12V 4.3A
得捷:
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
e络盟:
# INFINEON IRLML6401TRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -12V, -4.3A, SOT-23-3, 整卷
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
MOSFET; Power; P-Ch; VDSS -12V; RDSON 0.05Ohm; ID -4.3A; Micro3; PD 1.3W; VGS +/-8V
安富利:
Trans MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin Micro T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; logic level; -12V; -4.3A; 1.3W
Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
MOSFET Transistor, P Channel, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV
儒卓力:
**MOSFET P-CHANNEL -12V -4.3A **
Win Source:
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
额定功率 1.3 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.05 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.3 W
阈值电压 550 mV
输入电容 830 pF
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 4.3A
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 830pF @10VVds
额定功率Max 1.3 W
下降时间 210 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Load Switch, Power Management, DC Switches
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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