IRLML6401TRPBF

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IRLML6401TRPBF概述

INFINEON  IRLML6401TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV

其他


欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML6401TRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 微型封装


立创商城:
P沟道 12V 4.3A


得捷:
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23


e络盟:
# INFINEON  IRLML6401TRPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, -12V, -4.3A, SOT-23-3, 整卷


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
MOSFET; Power; P-Ch; VDSS -12V; RDSON 0.05Ohm; ID -4.3A; Micro3; PD 1.3W; VGS +/-8V


安富利:
Trans MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin Micro T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; logic level; -12V; -4.3A; 1.3W


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
MOSFET Transistor, P Channel, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV


儒卓力:
**MOSFET P-CHANNEL -12V -4.3A **


Win Source:
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23


IRLML6401TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.3 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.05 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.3 W

阈值电压 550 mV

输入电容 830 pF

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 4.3A

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 830pF @10VVds

额定功率Max 1.3 W

下降时间 210 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, Load Switch, Power Management, DC Switches

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

IRLML6401TRPBF引脚图与封装图
IRLML6401TRPBF引脚图
IRLML6401TRPBF封装图
IRLML6401TRPBF封装焊盘图
在线购买IRLML6401TRPBF
型号: IRLML6401TRPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRLML6401TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV
替代型号IRLML6401TRPBF
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