N沟道增强型场效应晶体管低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快低输入/输出漏
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 200mA/0.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 3.5Ω/Ohm @220mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage 描述与应用| N沟道增强型场效应 低导通电阻 低栅极阈值电压 低输入电容 开关速度快 低输入/输出漏
额定电压DC 50.0 V
额定电流 200 mA
额定功率 0.3 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 mW
阈值电压 1.2 V
输入电容 50.0 pF
漏源极电压Vds 50 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 200 mA
输入电容Ciss 50pF @10VVds
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 300mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 ??, 国防, ????, ???????, 电源管理, 军用与航空, Motor Drive & Control, Power Management, Aerospace, Defence, Military, 电机驱动与控制, ?????
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
军工级 Yes
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSS138-7-F Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
BSS138-7 美台 | 完全替代 | BSS138-7-F和BSS138-7的区别 |
BSS138TA 美台 | 类似代替 | BSS138-7-F和BSS138TA的区别 |
BSS138Q-7-F 美台 | 类似代替 | BSS138-7-F和BSS138Q-7-F的区别 |