双N沟道增强型场效应晶体管小信号晶体管特点双N沟道MOSFET低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快吗低输入/输出漏超小型表面贴装封装
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| 115mA/0.115A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 3.2Ω@ VGS = 5.0V, ID = 0.05A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 1~2V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Small-Signal-Transistor Features Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package 描述与应用| 双N沟道增强型场效应 小信号晶体管 特点 双N沟道MOSFET 低导通电阻 低栅极阈值电压 低输入电容 开关速度快吗 低输入/输出漏 超小型表面贴装封装
额定电压DC 60.0 V
额定电流 115 mA
针脚数 6
漏源极电阻 13.5 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 200 mW
阈值电压 2 V
输入电容 50.0 pF
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 70.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 115 mA
正向电压Max 1.5 V
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N7002DW-7-F Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
2N7002DW-7 美台 | 类似代替 | 2N7002DW-7-F和2N7002DW-7的区别 |
2N7002DW 飞兆/仙童 | 功能相似 | 2N7002DW-7-F和2N7002DW的区别 |
2N7002DW-TP 美微科 | 功能相似 | 2N7002DW-7-F和2N7002DW-TP的区别 |