NVTFS5C658NLTAG

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NVTFS5C658NLTAG中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0042 Ω

耗散功率 114 W

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 96 ns

输入电容Ciss 1935pF @25VVds

下降时间 105 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3200 mW

封装参数

引脚数 8

封装 DFN

外形尺寸

封装 DFN

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买NVTFS5C658NLTAG
型号: NVTFS5C658NLTAG
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 109 A, 60 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2.2 V

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