PN2222ATF

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PN2222ATF概述

小信号 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

小信号 NPN ,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor

### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor

双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


欧时:
ON Semiconductor PN2222ATF , NPN 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装


得捷:
TRANS NPN 40V 1A TO92-3


立创商城:
PN2222ATF


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 1 A, 35 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin TO-92 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin TO-92 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R


Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 1 A, 35 hFE


PN2222ATF中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

针脚数 3

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 35

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PN2222ATF
型号: PN2222ATF
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:小信号 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号PN2222ATF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PN2222ATF

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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PN2222ABU

安森美

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PN2222AG

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