KST55

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KST55概述

KST55 PNP三极管 -60V -500mA/-0.5A 50MHz 50 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 2H

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −60V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 50 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| PNP Epitaxial Silicon Transistor Driver Transistor Complement to KST05 描述与应用| PNP外延硅晶体管 驱动晶体管 补充型KST05


KST55中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO -60V

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO −60V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC −500mA/-0.5A

截止频率fTTranstion FrequencyfT 50MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE 50

管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage -250mV/-0.25V

耗散功率PcPoWer Dissipation 350mW/0.35W

数据手册

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型号: KST55
制造商: Samsung 三星
描述:KST55 PNP三极管 -60V -500mA/-0.5A 50MHz 50 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 2H

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