FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS0610 晶体管, MOSFET, P沟道, 120 mA, -60 V, 10 ohm, -10 V, -1.7 V
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.12A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 1.0Ω @-500mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1--3.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 360mW/0.36W Description & Applications| Features • −0.12A, −60V. RDSON = 10 Ω @ VGS = −10 V RDSON = 20 Ω @ VGS = −4.5 V • Voltage controlled p-channel small signal switch • High density cell design for low RDSON • High saturation current 描述与应用| •电压控制p沟道小信号开关 •高密度电池设计的低RDS（ON） •高饱和电流“
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -120 mA
额定功率 360 mW
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 10 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 360 mW
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids -120 mA
上升时间 6.3 ns
输入电容Ciss 79pF @25VVds
额定功率Max 360 mW
下降时间 7.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
NDS0610 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |