
















ON SEMICONDUCTOR NTTFS5820NLTAG 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 60 V, 0.0101 ohm, 10 V, 1.5 V
N 通道功率 MOSFET,60V,
### MOSFET ,ON Semiconductor
得捷:
MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN
立创商城:
N沟道 60V 11A
欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTTFS5820NLTAG, 37 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 37 A, 0.0101 ohm, WDFN, 表面安装
艾睿:
This NTTFS5820NLTAG power MOSFET from ON Semiconductor can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 2700 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
Allied Electronics:
NTTFS5820NLTAG N-channel MOSFET Transistor, 37 A, 60 V, 8-Pin WDFN
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin WDFN T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 37A; 33W; WDFN8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR NTTFS5820NLTAG MOSFET Transistor, N Channel, 37 A, 60 V, 0.0101 ohm, 10 V, 1.5 V
力源芯城:
60V,37A,N沟道MOSFET
针脚数 8
漏源极电阻 0.0101 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 33 W
阈值电压 1.5 V
输入电容 1462 pF
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 1462pF @25VVds
额定功率Max 2.7 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.7W Ta, 33W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 WDFN-8
长度 3.15 mm
宽度 3.15 mm
高度 0.8 mm
封装 WDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
NTTFS5820NLTAG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NTTFS5820NLTWG 安森美 | 类似代替 | NTTFS5820NLTAG和NTTFS5820NLTWG的区别 |
BSZ110N06NS3G 英飞凌 | 类似代替 | NTTFS5820NLTAG和BSZ110N06NS3G的区别 |