NTB25P06T4G

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NTB25P06T4G概述

P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,


立创商城:
P沟道 60V 27.5A


得捷:
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK


欧时:
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTB25P06T4G, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -27.5 A, -60 V, 0.07 ohm, -10 V, -2.8 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Allied Electronics:
NTB25P06T4G P-channel MOSFET Transistor; 27 A; 60 V; 3-Pin D2PAK


安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  NTB25P06T4G  MOSFET Transistor, P Channel, -27.5 A, -60 V, 70 mohm, -10 V, -2.8 V


力源芯城:
-60V,-27.5A功率MOSFET


Win Source:
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK


DeviceMart:
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK


NTB25P06T4G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -25.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.07 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 120 W

漏源极电压Vds 60 V

栅源击穿电压 ±15.0 V

连续漏极电流Ids 27.5 A

上升时间 72 ns

输入电容Ciss 1680pF @25VVds

额定功率Max 120 W

下降时间 190 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 120 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买NTB25P06T4G
型号: NTB25P06T4G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
替代型号NTB25P06T4G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

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