P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,
立创商城:
P沟道 60V 27.5A
得捷:
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
欧时:
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTB25P06T4G, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -27.5 A, -60 V, 0.07 ohm, -10 V, -2.8 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Allied Electronics:
NTB25P06T4G P-channel MOSFET Transistor; 27 A; 60 V; 3-Pin D2PAK
安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR NTB25P06T4G MOSFET Transistor, P Channel, -27.5 A, -60 V, 70 mohm, -10 V, -2.8 V
力源芯城:
-60V,-27.5A功率MOSFET
Win Source:
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
DeviceMart:
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -25.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.07 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 120 W
漏源极电压Vds 60 V
栅源击穿电压 ±15.0 V
连续漏极电流Ids 27.5 A
上升时间 72 ns
输入电容Ciss 1680pF @25VVds
额定功率Max 120 W
下降时间 190 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 120 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.29 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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