IRFP140NPBF

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IRFP140NPBF概述

INFINEON  IRFP140NPBF  晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 33 A, 100 V, 52 mohm, 10 V, 4 V

N 通道功率 MOSFET 100V,

Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 100V 33A TO247AC


欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP140NPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装


立创商城:
N沟道 100V 33A


e络盟:
晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 33 A, 100 V, 0.052 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube


Allied Electronics:
MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 0.052Ohm; ID 33A; TO-247AC; PD 140W; VGS +/-20V


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin3+Tab TO-247AC


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin3+Tab TO-247AC


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube


Newark:
# INFINEON  IRFP140NPBF  MOSFET Transistor, Hexfet, N Channel, 33 A, 100 V, 52 mohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 100V 33A 52mOhm TO-247 **


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC


IRFP140NPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 94 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.052 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 94 W

阈值电压 4 V

输入电容 1400pF @25V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 33A

上升时间 39 ns

输入电容Ciss 1400pF @25VVds

额定功率Max 140 W

下降时间 33 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 140W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.9 mm

宽度 5.3 mm

高度 20.3 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRFP140NPBF
型号: IRFP140NPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRFP140NPBF  晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 33 A, 100 V, 52 mohm, 10 V, 4 V
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