INFINEON IRFP140NPBF 晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 33 A, 100 V, 52 mohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET 100V,
Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 100V 33A TO247AC
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP140NPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
立创商城:
N沟道 100V 33A
e络盟:
晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 33 A, 100 V, 0.052 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube
Allied Electronics:
MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 0.052Ohm; ID 33A; TO-247AC; PD 140W; VGS +/-20V
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin3+Tab TO-247AC
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin3+Tab TO-247AC
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube
Newark:
# INFINEON IRFP140NPBF MOSFET Transistor, Hexfet, N Channel, 33 A, 100 V, 52 mohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 100V 33A 52mOhm TO-247 **
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC
额定功率 94 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.052 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 94 W
阈值电压 4 V
输入电容 1400pF @25V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 33A
上升时间 39 ns
输入电容Ciss 1400pF @25VVds
额定功率Max 140 W
下降时间 33 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 140W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.9 mm
宽度 5.3 mm
高度 20.3 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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