INFINEON IRF3315PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 150 V, 70 mohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3315PBF, 23 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
立创商城:
N沟道 150V 23A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Allied Electronics:
MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 150V; RDSON 0.082Ohm; ID 21A; TO-220AB; PD 94W; VGS +/-20V
安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 94W; TO220AB
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# INFINEON IRF3315PBF MOSFET Transistor, N Channel, 27 A, 150 V, 70 mohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 150V 23A 70mOhm TO-220AB **
Win Source:
MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB
额定功率 94 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.07 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 94 W
阈值电压 4 V
输入电容 1300 pF
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
连续漏极电流Ids 23A
上升时间 32 ns
热阻 1.6℃/W RθJC
输入电容Ciss 1300pF @25VVds
额定功率Max 94 W
下降时间 38 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 94W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.54 mm
宽度 4.69 mm
高度 8.77 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Power Management, Industrial, Commercial, 商业, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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