IRF3315PBF

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IRF3315PBF概述

INFINEON  IRF3315PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 150 V, 70 mohm, 10 V, 4 V

N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB


欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3315PBF, 23 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装


立创商城:
N沟道 150V 23A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Allied Electronics:
MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 150V; RDSON 0.082Ohm; ID 21A; TO-220AB; PD 94W; VGS +/-20V


安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 94W; TO220AB


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# INFINEON  IRF3315PBF  MOSFET Transistor, N Channel, 27 A, 150 V, 70 mohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 150V 23A 70mOhm TO-220AB **


Win Source:
MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB


IRF3315PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 94 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.07 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 94 W

阈值电压 4 V

输入电容 1300 pF

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

连续漏极电流Ids 23A

上升时间 32 ns

热阻 1.6℃/W RθJC

输入电容Ciss 1300pF @25VVds

额定功率Max 94 W

下降时间 38 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 94W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.54 mm

宽度 4.69 mm

高度 8.77 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Power Management, Industrial, Commercial, 商业, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRF3315PBF
型号: IRF3315PBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRF3315PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 150 V, 70 mohm, 10 V, 4 V
替代型号IRF3315PBF
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