INFINEON IRG4PC50UDPBF 单晶体管, IGBT, 55 A, 2 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
Co-Pack IGBT 超过 21A,
Infineon 的隔离栅极双极 IGBT 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。
IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置
得捷:
IGBT 600V 55A 200W TO247AC
立创商城:
IRG4PC50UDPBF
欧时:
Infineon IGBT, IRG4PC50UDPBF, 3引脚, TO-247AC封装, Vce=600 V, 55 A, ±20V
e络盟:
单晶体管, IGBT, 55 A, 2 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube
Allied Electronics:
600V ULTRAFAST 8-60 KHZ COPACK IGBT IN A TO-247AC PACKAGE
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3-Pin3+Tab TO-247AC
富昌:
IRG4PC50UDPBF Series 600 V 27 A N-Channel UltraFast CoPack IGBT - TO-247AC
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3-Pin3+Tab TO-247AC
TME:
Transistor: IGBT; 600V; 55A; 200W; TO247-3
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube
Newark:
# INFINEON IRG4PC50UDPBF IGBT Single Transistor, 55 A, 2 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pins
儒卓力:
**IGBT TO-247 **
Win Source:
IGBT 600V 55A 200W TO247AC
额定功率 200 W
针脚数 3
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
输入电容 4000 pF
上升时间 25.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
热阻 40 ℃/W
反向恢复时间 50 ns
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.7 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 工业, Alternative Energy, Power Management, Welding, Industrial, 替代能源, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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