










INFINEON IRFI4019H-117P 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 150 V, 80 mohm, 10 V, 4.9 V
数字音频 MOSFET,
D 类放大器正快速成为专业和家庭音频和视频系统的首选解决方案。 Infineon 提供全面的系列,可简化高效 D 级放大器设计。
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
得捷:
MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5
立创商城:
2个N沟道 150V 8.7A
欧时:
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4019H-117P, 8.7 A, Vds=150 V, 5引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET 150V 2 x N-CH 8.7A for Digital Audio
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 8.7A 5-Pin5+Tab TO-220FP Tube
Allied Electronics:
MOSFET; Dual N Ch.; Digital Audio; 5-PIN TO-220; 150V; 80MOHM; 8.7A; 4.1 NC
安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 8.7A 5-Pin5+Tab TO-220 Full-Pack
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 8.7A 5-Pin5+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 150V; 8.7A; 18W; TO220FP-5
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 8.7A 5-Pin5+Tab TO-220FP Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 8.7 A, 150 V, 80 mohm, 10 V, 4.9 V
儒卓力:
**N-CH 150V 8,7A 80mOhm TO-220 **
Win Source:
MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
额定功率 18 W
通道数 2
针脚数 5
漏源极电阻 0.08 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 18 W
阈值电压 4.9 V
输入电容 810 pF
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
连续漏极电流Ids 8.7A
上升时间 6.6 ns
热阻 65℃/W RθJA
输入电容Ciss 810pF @25VVds
额定功率Max 18 W
下降时间 3.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 18000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 5
封装 TO-220-5
长度 10.63 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.02 mm
封装 TO-220-5
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Audio, Power Management, Class D Audio, Audio, Power Management, 音频, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99

