IRFI4019H-117P

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IRFI4019H-117P概述

INFINEON  IRFI4019H-117P  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 150 V, 80 mohm, 10 V, 4.9 V

数字音频 MOSFET,

D 类放大器正快速成为专业和家庭音频和视频系统的首选解决方案。 Infineon 提供全面的系列,可简化高效 D 级放大器设计。

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


得捷:
MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5


立创商城:
2个N沟道 150V 8.7A


欧时:
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4019H-117P, 8.7 A, Vds=150 V, 5引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET 150V 2 x N-CH 8.7A for Digital Audio


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 8.7A 5-Pin5+Tab TO-220FP Tube


Allied Electronics:
MOSFET; Dual N Ch.; Digital Audio; 5-PIN TO-220; 150V; 80MOHM; 8.7A; 4.1 NC


安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 8.7A 5-Pin5+Tab TO-220 Full-Pack


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 8.7A 5-Pin5+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 150V; 8.7A; 18W; TO220FP-5


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 8.7A 5-Pin5+Tab TO-220FP Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 8.7 A, 150 V, 80 mohm, 10 V, 4.9 V


儒卓力:
**N-CH 150V 8,7A 80mOhm TO-220 **


Win Source:
MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP


IRFI4019H-117P中文资料参数规格
技术参数

额定功率 18 W

通道数 2

针脚数 5

漏源极电阻 0.08 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 18 W

阈值电压 4.9 V

输入电容 810 pF

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

连续漏极电流Ids 8.7A

上升时间 6.6 ns

热阻 65℃/W RθJA

输入电容Ciss 810pF @25VVds

额定功率Max 18 W

下降时间 3.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 18000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 5

封装 TO-220-5

外形尺寸

长度 10.63 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.02 mm

封装 TO-220-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Audio, Power Management, Class D Audio, Audio, Power Management, 音频, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IRFI4019H-117P引脚图与封装图
IRFI4019H-117P引脚图
IRFI4019H-117P封装焊盘图
在线购买IRFI4019H-117P
型号: IRFI4019H-117P
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRFI4019H-117P  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 150 V, 80 mohm, 10 V, 4.9 V

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