QH8MA2TR

QH8MA2TR中文资料参数规格
技术参数

极性 N+P

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 12A

封装参数

封装 TSMT

外形尺寸

封装 TSMT

数据手册

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型号: QH8MA2TR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:TSMT N+P 30V 12A

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