INFINEON IRF540NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 44 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier公司的为100V单路N通道HEXFET功率MOSFET, TO-220AB封装. 此MOSFET具有极低的每硅片区面积电阻, 动态的dv / dt评级, 坚固耐用的快速切换以及全额定雪崩, 著名的功率MOSFET提供极高的效率和稳定性, 用于多种应用程序.
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- 漏极至源极电压: 100V
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- 栅-源电压：±20V
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- 10V通导电阻Rdson: 44m欧
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- 25°C功率耗散Pd: 130W
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- Vgs 10V和25°C持续漏电流Id: 33A
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- 工作结温范围: -55°C至175°C
额定功率 140 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.044 Ω
极性 N-CH
耗散功率 130 W
阈值电压 4 V
输入电容 1960 pF
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 33A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 1960pF @25VVds
额定功率Max 130 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 130000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.54 mm
宽度 4.69 mm
高度 8.77 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Con, Industrial, Full-Bridge, 便携式器材, 电源管理, Power Management, Industrial, Portable Devices, Consumer Elec, Power Management, 消费电子产品, Consumer Electronics
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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