INFINEON IRF540NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 0.044 ohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET 100V，
Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
额定功率 3.8 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.044 Ω
极性 N-CH
耗散功率 130 W
阈值电压 4 V
输入电容 1960 pF
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 33A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 1960pF @25VVds
额定功率Max 130 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 130W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF540NSTRLPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF540NSTRRPBF 英飞凌 | 完全替代 | IRF540NSTRLPBF和IRF540NSTRRPBF的区别 |
IRF540NSPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF540NSTRLPBF和IRF540NSPBF的区别 |
IRF540NS 英飞凌 | 功能相似 | IRF540NSTRLPBF和IRF540NS的区别 |