ANALOG DEVICES HMC415LP3E 芯片, INGAP HBT功率放大器, SMT 4.9 - 5.9 GHZ
射频放大器,Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite 具有一系列射频放大器,它们具有各种功能。 一些具有低噪声放大器,一些射频放大器可与共振器、负电阻设备、变容二极管和缓冲器放大器集成,而另外一些可提供高效率 GaAs InGaP 异质结双极性晶体管 HBT MMIC 驱动器放大器。
### 射频 RF 放大器,Analog Devices
得捷:
IC AMP HIPERLAN 4.9-5.9GHZ 16QFN
立创商城:
HMC415LP3E
欧时:
Analog Devices Hittite 系列 功率 RF 放大器 HMC415LP3E, 20.5 dB功率增益, 最高5.9 GHz, 16引脚 QFN封装
e络盟:
芯片, INGAP HBT功率放大器, SMT 4.9 - 5.9 GHZ
艾睿:
RF Amp Single Power Amp 5.9GHz 5V 16-Pin LFCSP EP Cut Tape
安富利:
RF Amp Chip Single Power Amplifier 5900MHz 5V 16-Pin QFN Bulk
Verical:
RF Amp Single Power Amp 5.9GHz 5V 16-Pin LFCSP EP Cut Tape
Newark:
# ANALOG DEVICES HMC415LP3E RF Amplifier IC, 19 dB Gain / 6 dB Noise, 4.9 GHz to 5.9 GHz, 3 V, QFN-16
DeviceMart:
IC PWR AMP 5-6GHZ 16-QFN
频率 4.9GHz ~ 5.9GHz
电源电压DC 3.00V max
供电电流 285 mA
通道数 1
针脚数 16
耗散功率 1105 mW
输出功率 23 dBm
增益 19 dB
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1105 mW
电源电压 3 V
电源电压Max 3 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 QFN-16
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
高度 1 mm
封装 QFN-16
产品生命周期 Active
包装方式 Each
制造应用 Aerospace and Defense, Radar
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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HMC415LP3E ADI 亚德诺 | 当前型号 | 当前型号 |
HMC415LP3ETR 亚德诺 | 类似代替 | HMC415LP3E和HMC415LP3ETR的区别 |
MAAM28000 M/A-Com | 功能相似 | HMC415LP3E和MAAM28000的区别 |
HMC415LP3 亚德诺 | 功能相似 | HMC415LP3E和HMC415LP3的区别 |