HMC327MS8GE

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HMC327MS8GE概述

ANALOG DEVICES  HMC327MS8GE  芯片, MMIC, 功率放大器, SMT, 3 - 4 GHZ

射频放大器,Analog Devices Hittite

Analog Devices Hittite 具有一系列射频放大器,它们具有各种功能。 一些具有低噪声放大器,一些射频放大器可与共振器、负电阻设备、变容二极管和缓冲器放大器集成,而另外一些可提供高效率 GaAs InGaP 异质结双极性晶体管 HBT MMIC 驱动器放大器。


得捷:
IC RF AMP WLL 3GHZ-4GHZ 8MSOP


欧时:
射频放大器,Analog Devices HittiteAnalog Devices Hittite 具有一系列射频放大器,它们具有各种功能。 一些具有低噪声放大器,一些射频放大器可与共振器、负电阻设备、变容二极管和缓冲器放大器集成,而另外一些可提供高效率 GaAs InGaP 异质结双极性晶体管 HBT MMIC 驱动器放大器。 ### 射频 RF 放大器,Analog Devices


艾睿:
RF Amp Chip Single Power Amp 4GHz 5.5V 8-Pin MSOP EP T/R


安富利:
RF Amp Chip Single Power Amp 4000MHz 8-Pin MSOP Bulk


Verical:
RF Amp Chip Single Power Amp 4GHz 5.5V 8-Pin MSOP EP T/R


Newark:
# ANALOG DEVICES  HMC327MS8GE  RF Amplifier IC, 21 dB Gain / 5 dB Noise, 3 GHz to 4 GHz, 5 V, HMSOP-8


DeviceMart:
IC MMIC PWR AMP 3-4GHZ 8-MSOP


Win Source:
RF Amplifier IC WLL, WLAN 3GHz ~ 4GHz 8-MSOP


HMC327MS8GE中文资料参数规格
技术参数

频率 3GHz ~ 4GHz

电源电压DC 5.00V max

供电电流 250 mA

通道数 1

针脚数 8

耗散功率 1.88 W

输出功率 27 dBm

增益 21 dB

测试频率 3.5 GHz

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1880 mW

电源电压 5 V

电源电压Max 5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 MSOP-8

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.95 mm

封装 MSOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 Radar, Aerospace and Defense

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

HMC327MS8GE引脚图与封装图
HMC327MS8GE引脚图
HMC327MS8GE封装图
HMC327MS8GE电路图
HMC327MS8GE封装焊盘图
在线购买HMC327MS8GE
型号: HMC327MS8GE
制造商: ADI 亚德诺
描述:ANALOG DEVICES  HMC327MS8GE  芯片, MMIC, 功率放大器, SMT, 3 - 4 GHZ
替代型号HMC327MS8GE
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

HMC327MS8GE

ADI 亚德诺

当前型号

当前型号

HMC327MS8GETR

亚德诺

完全替代

HMC327MS8GE和HMC327MS8GETR的区别

HMC327MS8G

亚德诺

完全替代

HMC327MS8GE和HMC327MS8G的区别

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