ANALOG DEVICES HMC327MS8GE 芯片, MMIC, 功率放大器, SMT, 3 - 4 GHZ
射频放大器,Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite 具有一系列射频放大器,它们具有各种功能。 一些具有低噪声放大器,一些射频放大器可与共振器、负电阻设备、变容二极管和缓冲器放大器集成,而另外一些可提供高效率 GaAs InGaP 异质结双极性晶体管 HBT MMIC 驱动器放大器。
得捷:
IC RF AMP WLL 3GHZ-4GHZ 8MSOP
欧时:
射频放大器,Analog Devices HittiteAnalog Devices Hittite 具有一系列射频放大器,它们具有各种功能。 一些具有低噪声放大器,一些射频放大器可与共振器、负电阻设备、变容二极管和缓冲器放大器集成,而另外一些可提供高效率 GaAs InGaP 异质结双极性晶体管 HBT MMIC 驱动器放大器。 ### 射频 RF 放大器,Analog Devices
艾睿:
RF Amp Chip Single Power Amp 4GHz 5.5V 8-Pin MSOP EP T/R
安富利:
RF Amp Chip Single Power Amp 4000MHz 8-Pin MSOP Bulk
Verical:
RF Amp Chip Single Power Amp 4GHz 5.5V 8-Pin MSOP EP T/R
Newark:
# ANALOG DEVICES HMC327MS8GE RF Amplifier IC, 21 dB Gain / 5 dB Noise, 3 GHz to 4 GHz, 5 V, HMSOP-8
DeviceMart:
IC MMIC PWR AMP 3-4GHZ 8-MSOP
Win Source:
RF Amplifier IC WLL, WLAN 3GHz ~ 4GHz 8-MSOP
频率 3GHz ~ 4GHz
电源电压DC 5.00V max
供电电流 250 mA
通道数 1
针脚数 8
耗散功率 1.88 W
输出功率 27 dBm
增益 21 dB
测试频率 3.5 GHz
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1880 mW
电源电压 5 V
电源电压Max 5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 MSOP-8
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
高度 0.95 mm
封装 MSOP-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Each
制造应用 Radar, Aerospace and Defense
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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HMC327MS8GE ADI 亚德诺 | 当前型号 | 当前型号 |
HMC327MS8GETR 亚德诺 | 完全替代 | HMC327MS8GE和HMC327MS8GETR的区别 |
HMC327MS8G 亚德诺 | 完全替代 | HMC327MS8GE和HMC327MS8G的区别 |