ANALOG DEVICES HMC326MS8GE 芯片, 射频放大器, 21DB, 4.5GHZ, 5V, HMSOP-8
射频放大器,Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite 具有一系列射频放大器,它们具有各种功能。 一些具有低噪声放大器,一些射频放大器可与共振器、负电阻设备、变容二极管和缓冲器放大器集成,而另外一些可提供高效率 GaAs InGaP 异质结双极性晶体管 HBT MMIC 驱动器放大器。
### 射频 RF 放大器,Analog Devices
得捷:
HMC326 - INGAP HBT DRIVER AMP SM
立创商城:
HMC326MS8GE
欧时:
射频放大器,Analog Devices HittiteAnalog Devices Hittite 具有一系列射频放大器,它们具有各种功能。 一些具有低噪声放大器,一些射频放大器可与共振器、负电阻设备、变容二极管和缓冲器放大器集成,而另外一些可提供高效率 GaAs InGaP 异质结双极性晶体管 HBT MMIC 驱动器放大器。 ### 射频 RF 放大器,Analog Devices
e络盟:
射频放大器芯片, 21 DB 增益 / 5 DB 噪声, 3GHZ至4.5 GHz, 5 V, HMSOP-8
艾睿:
RF Amp Chip Single GP 4.5GHz 5.5V 8-Pin MSOP T/R
安富利:
RF Amp Chip Single GP 4500MHz 5.5V 8-Pin MSOP Bulk
Verical:
RF Amp Single MMIC Amp 4.5GHz 5.5V 8-Pin MSOP EP Cut Tape
Newark:
# ANALOG DEVICES HMC326MS8GE RF Amplifier IC, 21 dB Gain / 5 dB Noise, 3 GHz to 4.5 GHz, 5 V, HMSOP-8
DeviceMart:
IC HBT DVR AMP 3.5GHZ 8-MSOP
频率 3GHz ~ 4.5GHz
电源电压DC 5.00V max
供电电流 130 mA
通道数 1
针脚数 8
耗散功率 916 mW
输出功率 23.5 dBm
增益 21 dB
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 916 mW
电源电压 5 V
电源电压Max 5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 MSOP-8
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
高度 0.95 mm
封装 MSOP-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 射频通信, Wireless, Aerospace and Defense, 无线, RF Communications, Radar
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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HMC326MS8GE ADI 亚德诺 | 当前型号 | 当前型号 |
HMC326MS8GETR 亚德诺 | 完全替代 | HMC326MS8GE和HMC326MS8GETR的区别 |
HMC326MS8G 亚德诺 | 完全替代 | HMC326MS8GE和HMC326MS8G的区别 |