HMC326MS8GE

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HMC326MS8GE概述

ANALOG DEVICES  HMC326MS8GE  芯片, 射频放大器, 21DB, 4.5GHZ, 5V, HMSOP-8

射频放大器,Analog Devices Hittite

Analog Devices Hittite 具有一系列射频放大器,它们具有各种功能。 一些具有低噪声放大器,一些射频放大器可与共振器、负电阻设备、变容二极管和缓冲器放大器集成,而另外一些可提供高效率 GaAs InGaP 异质结双极性晶体管 HBT MMIC 驱动器放大器。

### 射频 RF 放大器,Analog Devices


得捷:
HMC326 - INGAP HBT DRIVER AMP SM


立创商城:
HMC326MS8GE


欧时:
射频放大器,Analog Devices HittiteAnalog Devices Hittite 具有一系列射频放大器,它们具有各种功能。 一些具有低噪声放大器,一些射频放大器可与共振器、负电阻设备、变容二极管和缓冲器放大器集成,而另外一些可提供高效率 GaAs InGaP 异质结双极性晶体管 HBT MMIC 驱动器放大器。 ### 射频 RF 放大器,Analog Devices


e络盟:
射频放大器芯片, 21 DB 增益 / 5 DB 噪声, 3GHZ至4.5 GHz, 5 V, HMSOP-8


艾睿:
RF Amp Chip Single GP 4.5GHz 5.5V 8-Pin MSOP T/R


安富利:
RF Amp Chip Single GP 4500MHz 5.5V 8-Pin MSOP Bulk


Verical:
RF Amp Single MMIC Amp 4.5GHz 5.5V 8-Pin MSOP EP Cut Tape


Newark:
# ANALOG DEVICES  HMC326MS8GE  RF Amplifier IC, 21 dB Gain / 5 dB Noise, 3 GHz to 4.5 GHz, 5 V, HMSOP-8


DeviceMart:
IC HBT DVR AMP 3.5GHZ 8-MSOP


HMC326MS8GE中文资料参数规格
技术参数

频率 3GHz ~ 4.5GHz

电源电压DC 5.00V max

供电电流 130 mA

通道数 1

针脚数 8

耗散功率 916 mW

输出功率 23.5 dBm

增益 21 dB

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 916 mW

电源电压 5 V

电源电压Max 5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 MSOP-8

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.95 mm

封装 MSOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 射频通信, Wireless, Aerospace and Defense, 无线, RF Communications, Radar

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

HMC326MS8GE引脚图与封装图
HMC326MS8GE引脚图
HMC326MS8GE封装图
HMC326MS8GE电路图
HMC326MS8GE封装焊盘图
在线购买HMC326MS8GE
型号: HMC326MS8GE
制造商: ADI 亚德诺
描述:ANALOG DEVICES  HMC326MS8GE  芯片, 射频放大器, 21DB, 4.5GHZ, 5V, HMSOP-8
替代型号HMC326MS8GE
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

HMC326MS8GE

ADI 亚德诺

当前型号

当前型号

HMC326MS8GETR

亚德诺

完全替代

HMC326MS8GE和HMC326MS8GETR的区别

HMC326MS8G

亚德诺

完全替代

HMC326MS8GE和HMC326MS8G的区别

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