HMC326MS8GETR

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HMC326MS8GETR概述

射频放大器 IC 通用 3GHz ~ 4.5GHz 8-MSOPG

Product Details

The HMC326MS8G & HMC326MS8GE are high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor HBT MMIC driver amplifiers which operate between 3.0 and 4.5 GHz. The amplifier is packaged in a low cost, surface mount 8 leaded package with an exposed base for improved RF and thermal performance. The amplifier provides 21 dB of gain and +26 dBm of saturated power from a +5V supply voltage. Power down capability is available to conserve current consumption when the amplifier is not in use. Internal circuit matching was optimized to provide greater than 40% PAE.

Applications

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Microwave Radios
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Broadband Radio Systems
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Wireless Local Loop Driver Amplifier

### Features and Benefits

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Psat Output Power: +26 dBm
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> 40% PAE
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Output IP3: +36 dBm
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High Gain: 21 dB
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Vs: +5V
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Ultra Small Package: MSOP8G
HMC326MS8GETR中文资料参数规格
技术参数

频率 3GHz ~ 4.5GHz

供电电流 130 mA

通道数 1

耗散功率 916 mW

增益 21 dB

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 916 mW

电源电压 5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 MSOP-8

外形尺寸

封装 MSOP-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Aerospace and Defense, Radar

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

HMC326MS8GETR引脚图与封装图
HMC326MS8GETR电路图
在线购买HMC326MS8GETR
型号: HMC326MS8GETR
制造商: ADI 亚德诺
描述:射频放大器 IC 通用 3GHz ~ 4.5GHz 8-MSOPG
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HMC326MS8GETR和HMC326MS8GE的区别

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