LMBT6517LT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

LMBT6517LT1G概述

LMBT6517LT1G NPN三极管 350V 500mA/0.5A 40Mhz~200Mhz 15~200 100mV~500mV SOT-23/SC-59 marking/标记 1Z

High Voltage Transistors NPN Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.

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LMBT6517LT1G

LMBT6517LT1G中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.225 W

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 30

最大电流放大倍数hFE 200

封装参数

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买LMBT6517LT1G

型号： LMBT6517LT1G

制造商： Leshan Radio 乐山无线电

描述：LMBT6517LT1G NPN三极管 350V 500mA/0.5A 40Mhz~200Mhz 15~200 100mV~500mV SOT-23/SC-59 marking/标记 1Z